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  • MBN1200D25B供應日立IGBT模塊41A296305ECP2

    供應日立IGBT模塊41A296305ECP2

    供應日立IGBT模塊41A296305ECP2 北京京誠宏泰科技 ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT,雙/橋臂式IGBT,斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點。

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  • MBN1200E17D日立IGBT模塊MBN1200E17D

    日立IGBT模塊MBN1200E17D

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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  • A50L-0001-0303/LFanuc發那科IGBT模塊A50L-0001-0303/L

    Fanuc發那科IGBT模塊A50L-0001-0303/L

    Fanuc發那科IGBT模塊A50L-0001-0303/L

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